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产品型号:ntd32n06lt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):28最大漏极电流id(on)(a):32通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:32 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):¥5.80 来源:xiangxueqin
产品型号:NTD32N06LT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):28
最大漏极电流Id(on)(A):32
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:32 A, 60 V功率MOSFET
价格/1片(套):¥5.80