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当前位置：维库电子市场网>IC>ntd32n06t4g 更新时间:2024-04-20 17:43:36

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  • NTD32N06T4G的技术参数

    产品型号:ntd32n06t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):26最大漏极电流id(on)(a):32通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:32 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):￥5.80 来源:xiangxueqin

  • NTD32N06T4G的技术参数

    产品型号:NTD32N06T4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
    最大漏极电流Id(on)(A):32
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:32 A, 60 V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥5.80

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