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  • NTD4810NT4G的技术参数

    产品型号:ntd4810nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):10最大漏极电流id(on)(a):54通道极性:n封装/温度(℃):dpak-4/-55~175描述:30v,54a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTD4810NT4G的技术参数

    产品型号:NTD4810NT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10
    最大漏极电流Id(on)(A):54
    通道极性:N
    封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
    描述:30V,54A,N沟道MOSFET
    价格/1片(套):暂无


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