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  • NTD4813NT4G的技术参数

    产品型号:ntd4813nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):13最大漏极电流id(on)(a):40通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55~175描述:40a,30v,,n沟道功率mosfet价格/1片(套):￥3.10 来源:xiangxueqin

  • NTD4813NT4G的技术参数

    产品型号:NTD4813NT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):13
    最大漏极电流Id(on)(A):40
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55~175
    描述:40A,30V,,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):￥3.10

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