NTD50N03RT4G
356000
NEW/NEW
一级代理保证
NTD50N03R
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/21+
原厂渠道，现货配单
NTD50N03R
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
原厂渠道，现货配单
NTD50N03R
31300
TSSOP/24+
只做原装，提供一站式配单服务
NTD50N03R
22358
DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount/22+
房间现货，价格优势。
NTD50N03R
20000
DPAK/2022+
原装正品，提供BOM配单服务
NTD50N03R
6000
DPAK/22+
原装，提供BOM配单服务
NTD50N03R
5000
DPAK/22+
一站式配单，只做原装
NTD50N03R
5000
DPAK/23+
优势产品大量库存原装现货
NTD50N03R
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/22+
原厂渠道，现货配单
NTD50N03R
65286
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
NTD50N03R
50000
MOSFET NCH 25V 7.8A DPAK/2020+
原装现货配单
NTD50N03R
30000
DPAK/23+
全新原装，假一罚十
NTD50N03R
3000
DPAK/N/A
原装正品热卖，价格优势
NTD50N03R
15000
DPAK4LEADSINGLEGAUGE/22+
原装现货 平价清仓
NTD50N03R
84900
DPAK3/23+
ON品牌优势渠道现货库存 一站式配单 14年芯片销售
NTD50N03R
6275
DPak/24+
假一罚十，原装现货，支持含税
NTD50N03R
5023
DPAK/2021+
原装优势库存 特价支持 价优质美
NTD50N03R
30000
DPAK/2022+
进口原装现货供应，原装 假一罚十
NTD50N03R
Power MOSFET 25 V, 45 A, Single N-Ch...
ON SEMICONDUCTOR
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NTD50N03R-1
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
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NTD50N03R-D
Power MOSFET 25 V, 45 A, Single N-Ch...
ON Semiconductor
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NTD50N03R-1G
Power MOSFET
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NTD50N03R-35
Power MOSFET
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Power MOSFET
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今天同步控制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。" 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5381拓展了安森美半
同步控制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。” 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。 ncp5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立产品的产品系列。 来源:小草
产品型号:NTD50N03RG
源漏极间雪崩电压VBR(V):25
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.700
最大漏极电流Id(on)(A):45
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:25V,45A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。" 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5
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