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  • NTD5407NT4G的技术参数

    产品型号:ntd5407nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):40源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):26最大漏极电流id(on)(a):38通道极性:n封装/温度(℃):dpak-4/-55~175描述:40v,38a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTD5407NT4G的技术参数

    产品型号:NTD5407NT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):40
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
    最大漏极电流Id(on)(A):38
    通道极性:N
    封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
    描述:40V,38A,N沟道MOSFET
    价格/1片(套):暂无


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NTD60N02R NTD60N02RT4G NTD60N03 NTD65N03R NTD65N03R-1G NTD65N03RG NTD65N03RT4G NTD70N03R NTD70N03R-001 NTD70N03RT4

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