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ntgs3446t1中文资料

  • NTGS3446T1的技术参数

    产品型号:ntgs3446t1源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):36最大漏极电流id(on)(a):5.100通道极性:n沟道封装/温度(℃):6tsop/-55~150描述:5.1a,20v功率mosfet价格/1片(套):¥2.00 来源:xiangxueqin

  • NTGS3446T1G的技术参数

    产品型号:NTGS3446T1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45
    最大漏极电流Id(on)(A):5.100
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150
    描述:5.1A, 20 V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥2.00

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  • NTGS3446T1的技术参数

    产品型号:NTGS3446T1
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):36
    最大漏极电流Id(on)(A):5.100
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):6TSOP/-55~150
    描述:5.1A,20V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥2.00


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ntgs3446t1替代型号

NTGS3443T1G NTGS3443T1 NTGS3441T1G NTGS3441T1 NTGS3441PT1G NTGS3433T1G NTGS3433T1 NTGD1100LT1G NTF6P02T3G NTF6P02T3

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