带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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SMD8/0552+
一定原装房间现货
NTHC5513T1G
150
SOT8/05+PB
原装现货，假一赔十
NTHC5513T1G
50000
SMD8/23+
原装现货
NTHC5513T1G
9000
SOT238/23+
原装现货QQ373621633
NTHC5513T1G
50000
SMD8/23+
原装现货
NTHC5513T1G
997
-/-
原装，假一罚十
NTHC5513
58352
-/21+
主营品牌全新原装可供更多
NTHC5513
8700
-/2023+
原装现货
NTHC5513
26500
ChipFET8/2322+
汽车IC原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒
NTHC5513
12000
12068/22+
原厂原装现货
NTHC5513
8700
-/2021+
原装现货
NTHC5513
8700
-/2021+
原装现货
NTHC5513
6607
-/23+
现货假一罚万只做原厂原装现货
NTHC5513
8700
-/2023+
原装现货
NTHC5513
87067
ChipFET8/15+
MOS管专家，原厂出品，可提供技术支持，可开17增值税...
NTHC5513
69000
ChipFET8/21+
原厂原装现货 假一赔十
NTHC5513
8700
-/2023+
原装现货
NTHC5513
3000
ChipFET8/2023+
ON原装进口/支持订货
NTHC5513
53000
-/2021+
原装现货
NTHC5513
Power MOSFET 20 V, +3.9 A/-3.0 A, Co...
ON SEMICONDUCTOR
NTHC5513PDF下载
NTHC5513-D
Power MOSFET 20 V, +3.9 A/-3.0 A, Co...
ON Semiconductor
NTHC5513-DPDF下载
NTHC5513T1G
MOSFET N/P-CH 20V 1206A
NTHC5513T1GPDF下载
能量。 在单个fet开关基础上稍作修改而成的负载开关有micrel公司的mic94053器件，它把上拉栅极电阻器与6v、2a的pmos fet组合成一体。该器件采用sc-70-6封装，售价0.38美元（批量1,000件），在-4.5v和-100ma时形成一个84mw的沟道。250kw的最小上拉电阻可以保证在加电期间该器件处于截止状态，除非驱动电路在此期间主动使该器件导通。上拉电阻还使人们能够借助于集电极开路逻辑电路对该开关进行控制，从而可在某些应用场合不需使用电平转换器。 安森美半导体公司的nthc5513将nmos器件和pmos器件组装在同一个8脚chipfet封装中，其中的nmos器件可以用作反相器或反相电平移动器（图1b），当然用法不限于此。nmos fet和pmos fet的导通电阻均不到1w，栅极电荷为6nc。虽然大部分功率半导体器件已把pmos沟道电阻降到远远低于1w，但在售价为0.29美元（批量1万件）的5513中，nmos仍然领先于pmos--nmos器件沟道电阻为75mw，而pmos器件则为155mw。 驱动问题 从沟道电阻的角度来看，人们可能会偏爱n沟道器件，但在高压侧开关
产品型号:NTHC5513T1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏极电流Id(on)(A):3.900
通道极性:N/P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:20 V, +3.9 A/-3.0 A功率MOSFET
价格/1片(套):￥2...
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