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  • NTLJD2105LTBG的技术参数

    产品型号:ntljd2105ltbg源漏极间雪崩电压vbr(v):-8源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):50@4.5v最大漏极电流id(on)(a):4.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):wdfn6/-55 ~150描述:4.3a, 8v功率mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTLJD2105LTBG的技术参数

    产品型号:NTLJD2105LTBG
    源漏极间雪崩电压VBR(V):-8
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50@4.5V
    最大漏极电流Id(on)(A):4.300
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):WDFN6/-55 ~150
    描述:4.3A, 8V功率MOSFET
    价格/1片(套):暂无

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