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NTLJD3115PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
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半导体公司为便携式应用带来了领先效能与设计灵活度的新功率mosfet产品μcool系列，新系列通过采用强化散热的wdfn6封装技术，可以在极小的4 mm2面积上取得卓越的热阻(38°c/w)与额定功率(1.9 w)，额定持续功率比业界标准sd-88封装提高了高达190%，比sd-70-6扁平引脚封装提供高了130%。因此由功率的角度来看，采用wdfn6封装的μcool器件能更有效益的使用便携式应用中宝贵的电路板空间。 其中最先推出的六款产品中，20v p-通道单ntljs3113pt1g与双ntljd3115pt1g 均过经优化, 在4.5 v时导通电阻rds(on)分别为42 mω与100 mω，适用于锂离子电池充电应用；20 v p-通道fetky ntljf3117pt1g (100 mω) 经过优化，适用于将3 v到4 v的电池电压转换为微处理器使用的1.1 v电压应用；30v n-通道ntljs4159nt1g(35 mω)与fetky ntljf4156nt1g (70 mω) 经过优化后，适用于白光led背光等同步升压应用；30v n-通道双ntljd4116nt1g (70 mω) 经过优化
括单一、双、fetky、互补与集成型负载开关。” 新推出的六款μcool(tm)产品采用外露漏极dfn封装技术，可以在极小的4m×4m面积上取得卓越的热阻(38oc/w)与额定功率(1.9w)，额定持续功率比业界标准sd-88封装提高了高达190%，比sd-70-6扁平引脚封装提供高了130%。由功率的角度来看，采用wdfn6封装的μcool器件能更有效益的使用便携式应用中宝贵的电路板空间。 器件： ·20vp-通道单ntljs3113pt1g与双ntljd3115pt1g均经优化, 适用于锂离子电池充电应用，在4.5v时导通电阻rds(on)分别为42mω与100mω，每10,000件的批量单价分别为0.30与0.31美元。 ·20vp-通道fetky ntljf3117pt1g(100mω)经优化，适用于将3v到4v电池电压转换为微处理器使用的1.1v电压应用，每10,000件的批量单价为0.31美元。 ·30vn-通道ntljs4159nt1g(35mω)与fetky ntljf4156nt1g(70 mω)经优化，适用于如白
安森美半导体便携式应用mosfet产品市场营销经理tom zemites说: “μcool产品系列在便携式产品应用上不论是尺寸、热阻及额定功率上的表现都相当优异，尤其是与较大尺寸封装，如micro-8、tsop-6与chipfet等比较时。我们为业界带来了能够让设计工程师在不牺牲效能的情况下大幅缩小电路板占用空间的更小型化功率封装。” 这六款新μcool功率mosfet器件现已提供样品并已进入批量生产，较大数量订单的供货日程为6到8周。其中，20vp-通道单ntljs3113pt1g与双ntljd3115pt1g均经优化, 适用于锂离子电池充电应用，在4.5v时导通电阻rds(on)分别为42mω与100mω，每10,000件的批量单价分别为0.30与0.31美元；20vp-通道fetky ntljf3117pt1g(100mω) 经优化，适用于将3v到4v电池电压转换为微处理器使用的1.1v电压应用，每10,000件的批量单价为0.31美元；30vn-通道ntljs4159nt1g(35mω)与fetky ntljf4156nt1g (70mω)经优化，适用于如白光led背光的同步升压应用，每10,0
产品型号:ntljd3115pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):1源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100最大漏极电流id(on)(a):1通道极性:p/p沟道封装/温度(℃):dfn-6/-55~150描述:-20v,-4.1a,ucool双p沟道功率mosfet价格/1片(套):￥3.20 来源:xiangxueqin
产品型号:NTLJD3115PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):1
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100
最大漏极电流Id(on)(A):1
通道极性:P/P沟道
封装/温度(℃):DFN-6/-55~150
描述:-20V,-4.1A,uCOOL双P沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥3...
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