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产品型号:ntmfs4708nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):19最大漏极电流id(on)(a):19通道极性:n封装/温度(℃):so-8fl/-55~150描述:30v,19a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin
产品型号:NTMFS4708NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):19
最大漏极电流Id(on)(A):19
通道极性:N
封装/温度(℃):SO-8FL/-55~150
描述:30V,19A,N沟道MOSFET
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