当前位置:维库电子市场网>IC>ntms10p02r2g 更新时间:2024-04-25 03:44:08

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ntms10p02r2g中文资料

  • NTMS10P02R2G的技术参数

    产品型号:ntms10p02r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14最大漏极电流id(on)(a):1.600通道极性:p沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:20 v, 10 a功率mosfet价格/1片(套):¥7.00 来源:xiangxueqin

  • NTMS10P02R2G的技术参数

    产品型号:NTMS10P02R2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14
    最大漏极电流Id(on)(A):1.600
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
    描述:20 V, 10 A功率MOSFET
    价格/1片(套):¥7.00

ntms10p02r2g替代型号

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