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  • NTMS4705NR2G的技术参数

    产品型号:ntms4705nr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):10最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:n沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:30 v, 12 a 功率mosfet价格/1片(套):￥5.20 来源:xiangxueqin

  • NTMS4705NR2G的技术参数

    产品型号:NTMS4705NR2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10
    最大漏极电流Id(on)(A):12
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
    描述:30 V, 12 A 功率MOSFET
    价格/1片(套):￥5.20

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ntms4705nr2g替代型号

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