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  • NTP30N06LG的技术参数

    产品型号:ntp30n06lg源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):46最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220/-55 ~150描述:30 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):¥6.40 来源:xiangxueqin

  • NTP30N06LG的技术参数

    产品型号:NTP30N06LG
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46
    最大漏极电流Id(on)(A):30
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
    描述:30 A, 60 V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥6.40


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