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  • NTP30N20G的技术参数

    产品型号:ntp30n20g源漏极间雪崩电压vbr(v):200源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):81最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220/-55 ~150描述:30 a, 200 v功率mosfet价格/1片(套):￥17.00 来源:xiangxueqin

  • NTP30N20G的技术参数

    产品型号:NTP30N20G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):200
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):81
    最大漏极电流Id(on)(A):30
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
    描述:30 A, 200 V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥17.00

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