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  • NTP75N03-6G的技术参数

    产品型号:ntp75n03-6g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.3@10v最大漏极电流id(on)(a):75通道极性:n沟道封装/温度(℃):3to220ab/-55~150描述:75a,30v功率mosfet价格/1片(套):￥13.02 来源:xiangxueqin

  • NTP75N03-6G的技术参数

    产品型号:NTP75N03-6G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.3@10V
    最大漏极电流Id(on)(A):75
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):3TO220AB/-55~150
    描述:75A,30V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥13.02

ntp75n03-6g替代型号

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