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nts4001nt1中文资料

  • NTS4001NT1的技术参数

    产品型号:nts4001nt1源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1000@4.0v最大漏极电流id(on)(a):0.270通道极性:n沟道封装/温度(℃):sc-70/-55~150描述:123a,100v单n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥1.50 来源:xiangxueqin

  • NTS4001NT1G的技术参数

    产品型号:NTS4001NT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500
    最大漏极电流Id(on)(A):0.270
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SC-70 /-55 ~150
    描述:30V, 270 mA,双功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1.50

  • NTS4001NT1的技术参数

    产品型号:NTS4001NT1
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1000@4.0V
    最大漏极电流Id(on)(A):0.270
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SC-70/-55~150
    描述:123A,100V单N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1....

nts4001nt1替代型号

NTS2101PT1G NTR4503NT1G NTR4502PT1G NTR4501NT1G NTR4101PT1G NTR4101P NTR4003NT1G NTR2101PT1G NTR1P02T1G NTR1P02T1

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