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于该放大器非反相输入端前面的电阻限制了产生输入电流的大小。esd 单元设计旨在极短的时间内安全地传导数安培电流,该传导持续时间不超过几十到数百纳秒。当 esd 单元在 eos 事件期间激活时,电流传导的时间取决于 eos 脉冲或过压特性。这些相同的 esd 单元一般可持续处理五到十毫安的电流,当占空比下降时可持续处理的电流安培数会大大增加。在这些条件下,它们可能非常安全并且不受过压的影响。在一些应用中,在电源电压施加到放大器以前就出现了输入信号(请参见图 5)。该图是使用 tina 软件工具和 opa374 宏模型生成的。如果未将电流限制在一个安全值范围内,则该上电行为就有可能会损坏输入 esd 保护电路。 图5 图 5 观察上电过程中的 vin!图中翻译:(右上)在电源斜坡下降时 iin 过高(iin excessively high while supply ramps)图 5 中,电源 (vg2) 在 50ms 内从 0v 斜坡上升到 5v。电源开始斜坡上升 5ms 以后,施加一个 3.5v 的输入信号 (vg1) 时便可完成上述过程。这种情况下,输入开始为一个高于正电压轨的电压。这