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pic16f684供应商优质现货

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pic16f684价格行情

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pic16f684中文资料

  • 教你如何正确选择锂电池充电系统

    案实现极为困难,当然也可以采用支持热调节的线性解决方案,但降低充电电流造成的充电周期延长是无法接受的。 成功设计开关式充电解决方案的第一步是选择设计结构:降压式、升压式、升/降压式、反激式、单端初级电感式或者其他形式。sepic拓扑结构的优点是低端栅极驱动和电流检测、持续输 入电流以及输入和输出间的直流隔离,其主要缺点是需要两个电感和一个能量传输电容。 mcp1630是一款可配合单片机使用的高速脉宽调制器,配合单片机,mcp1630可控制电源系统占空比,提供输出电压或电流稳定 功能。pic16f684单片机可用于输出稳压或稳流,以及开关频率和最大占空比的调整。mcp1630产生占空比,并可根据不同外部输入提供快速过流保 护。充电器采用的电源结构是sepic.单片机提供了极大的设计灵活 性。此外单片机还可以与电池包内的电池监控器通信,从而大大缩短充电周期时间。 利用开关式充电解决方案的整个充电周期如图6所示。通过在充电系统中采用电池监控器,可以大大缩短充电周期,使用电池监控器就不必再检测电池包保护电路两端的电压以及充电电流的接触电阻。 结论 在目前的便携式产品中,要正确地

  • PIC16F684

    PIC16F684引脚图微控制器的特殊功能:高精度的内部振荡器:出厂时精度校准为±1%,可用软件选择的频率范围为32kHz~8MHz;可用软件调节;双速启动模式;适用于关键应用的晶振故障检测;在节能模式下工作时可进行时钟模式切换;省电的休眠模式;宽工作电压范围(2.0~5.5V);工业级和扩展级温度范围;上电复位(POR);上电延时定时器(PWRT)和振荡器起振定时器(OST);带软件控制选择的欠压检测(BOD);带片上振荡器(振荡器频率可由软件选择,当预分频比最大时其标称值为268秒)并且可软件使能的增强型低电流看门狗定时器(WDT);带上拉的主复位,可复用为输入引脚;可编程代码保护;高耐用性闪存/EEPROM单元:闪存可经受100000次写操作;EEPROM可经受1000000次写操作;闪存/数据EEPROM保存时间>40年;低功耗功能:待机电流:电压为2.0V时,标准值<1nA;工作电流:频率为32kHz、电压为2.0V时,标准值为8.5μA;频率为1MHz、电压为2.0V时,标准值为100μA;看门狗定时器电流:电压为2,0V时,标准值为1μA;外设功能:12个具有独立方向控制的I/O引脚:高灌/拉电流可直接驱动LED;引脚电平变化中断;独立的可编程弱上拉;超低功耗唤醒;模拟比较器模块,带有:2个模拟比较器;可编程的片上基准电压(CVREF)模块(为VDD的百分比);可从外部访问的比较器输入和输出;模数转换器:10位分辨率和8通道;定时器0:带8位可编程预分频器的8位定时器/计数器;增强型定时器1:带有预分频器的16位定时器/计数器;外部门控信号输入模式;如果选择了INTOSC模式,在LP模式下可选择使用OSC1和OSC2作为定时器1的振荡器;定时器2:带8位周期寄存器、预分频器和后分频器的8位定时器/计数器;增强型捕捉、比较和PWM模块:16位捕捉模块,最大分辨率为12.5ns;16位比较模块,最大分辨率为200ns;带有1、2或4路输出通道,可编程“死区时间”的10位PWM模块,输出信号的最大频率为20kHz;通过2个引脚实现的在线串行编程(ICSPTM)

  • PM3烧写PIC16F684问题

    pm3烧写pic16f684问题第一次使用pic就遇到不小的问题,郁闷!高手帮忙呀~!具体现像:pic16f684芯片不能烧写程序,但手上的pic12f629却一切正常。听microchip的技术支持说两个芯片的下载模块相同。这就奇怪了~~一、pic16f684环境:1.mplab ide version 7.40.00.002.mplab pm33.pic16f684-1/sl 05233k74.电路板:只有一片pic16f684和一只10k电阻 操作记录: pm3 versions details mplab os suite version .............. 01.30.19bios version ..................................... 01.23.03os version ......................................... 00.03.0dpower monitor version ................... 00.01.12

  • PIC16F684上电出现不正常问题!!!!!

    pic16f684上电出现不正常问题!!!!! 本人做一个汽车电子产品,以前是用pic16f676,上电时要打开中央门锁,闪一下车灯,但是由于程序量不足的问题,所以我改成了pic16f684,我用的是内部晶体振荡,由于用pic16f676内部是4m的晶体振荡,而pic16f684用的是内部8m的晶体振荡,所以我设置成了4m的振荡,但是当我把程序烧写入ic时,10片只有3片是有正常上电功能,7片上电不会正常,好象i/o口都没有正常动作,外部中央门锁好象一直有动作。 请各位高手指点一二,本人不胜感激。

  • 用ICD2在線編程pic16f684連接失敗問題

    用icd2在線編程pic16f684.html">pic16f684連接失敗問題本人想用icd2對pic16f684在線編程,但總是連接不成功。錯誤詳細信息如下:connecting to mplab icd 2...connectedsetting vdd source to targettarget device pic16f684 found, revision = rev 0x3...reading icd product idrunning icd self test... failed self test. see icd2 settings (status tab) for details.mplab icd 2 ready然後根據提示查看settings.發現:在status頁:target vdd --- passmodule vpp --- highmclr gnd --- passmclr vdd --- passmclr vpp --- pass請各位有經驗的幫忙看看是什麼原因。補充說明:icd2 沒問題,因為有用pic16f877可以正常應用。我已經把pgc,pg

  • 请问PIC16F684配置位中FCMEN是什么意思?

    请问pic16f684配置位中fcmen是什么意思?请问pic16f684配置位中fcmen是什么意思?

  • 咨询:关于PIC16F684芯片的内部E2可靠性

    咨询:关于pic16f684芯片的内部e2可靠性各位大家好, 我在使用pic16f684做项目开发中遇到下面的问题:用单片机内部的e2用于数据存储,8个样品,烧写同样版本的程序,进行快速上电下电试验,发现在这个试验过程中始终有固定的2个样品中的e2数据会被随机修改,而其他几个样品都正常(备注:已经检查过硬件都是一致的).目前的改进方法:在最终进行写e2子程序之前加了多级抗干扰处理,如果条件非法就退出不使能写e2.但是好像还是没有对症下药,所以发贴咨询下大家在自己的应用设计中有没有曾经遇到这样的问题?有没有什么好的点子来提高内部e2的数据可靠性?另外,会不会是和芯片本身有关???也就是说每个片子的抗干扰性能有区别,弱一点的就会受到比较大的影响???(下附:底层写e2的子程序,按照datasheet上要求的时序来写的,如下:......//此处是入口条件判断,非法就退出 bsf status,rp0 bcf intcon,gie bsf eecon1,wren movlw 55h m

pic16f684替代型号

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