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  • 对浪涌电流导致的MOSFET发热的仿真分析

    时，mosfet的状态。若vds大于100mv，则为该信道增加一个1μω阻抗。若vds小于100mv，则假定mosfet处在导通态，并加上依赖温度的drds(on)。*bient是壳的环境温度。在该模型中，使壳温等于*bient；但，可容易地扩展该热网络以包括系统的散热效应。 建模实例：高端开关 为解读动态电热建模方法在功率开关应用中如何在选取、驱动并散热mosfet中发挥积极效用，驱动容性负载的高端开关是个好例子。在该例中，负载是一个有大容量输入电容的电源。 图7显示的是pvi1050n光伏隔离器的行为模型，它由一个等效的集电极/漏级开路晶体管控制。state1、state2和trans1触发并控制开关s1。c1和r2模拟pcb负载。r2得到10.8a的稳态负载，而c1代表电源的大电容。igate、vgs和pwr_fet分别是电流、电压和功率探针。irfp4232是准动态mosfet模型，它是采用前述方法建构的。图中显示的连接mosfet的散热片是一片to-247，其建模后的热阻抗是4.7℃/w。通过散热片的壳体到环境热通路的热容抗忽略不计，因它比封装的热容抗大。这样，它不会对

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