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  • RFMD宣布推出两款最新的射频开关RF1200和RF1450

    rfmd近日宣布在美国加利福尼亚举行的ieee radio and wireless conference(ieee射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关——rf1200和rf1450。此次ieee射频无线会议于元月9~11日举行。 rf1200和rf1450利用rfmd业界领先的gaas生产工艺生产,并将进一步推进用于rfmd传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模gsm/wcdma蜂窝手机、天线调谐器、ieee802.11a/b/g wlan和蜂窝基础设施等的前端器件。 rf1200为一款单刀双掷(spdt)大功率开关,可满足wcdma产品的所有线性要求,具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。rf1200采用0.5μm gaas phemt工艺制成,采用2×2mm的无铅qfn封装,共有6个引脚。 rf1450为一款单刀四掷(sp4t)大功率开关,设计用于多模wcdma产品,可提供极佳的线性性能。rf1450内含集成解码逻辑,仅需两路控制线便可实现开关控制。rf1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅qfn封装,共有16个引脚。

  • RFMD宣布推出两款最新的射频开关RF1200和RF1450..

    rfmd近日宣布在美国加利福尼亚举行的ieee radio and wireless conference(ieee射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关——rf1200和rf1450。此次ieee射频无线会议于元月9~11日举行。 rf1200和rf1450利用rfmd业界领先的gaas生产工艺生产,并将进一步推进用于rfmd传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模gsm/wcdma蜂窝手机、天线调谐器、ieee802.11a/b/g wlan和蜂窝基础设施等的前端器件。 rf1200为一款单刀双掷(spdt)大功率开关,可满足wcdma产品的所有线性要求,具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。rf1200采用0.5μm gaas phemt工艺制成,采用2×2mm的无铅qfn封装,共有6个引脚。 rf1450为一款单刀四掷(sp4t)大功率开关,设计用于多模wcdma产品,可提供极佳的线性性能。rf1450内含集成解码逻辑,仅需两路控制线便可实现开关控制。rf1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅q

  • RFMD推出两款最新射频开关RF1200和RF1450

    rfmd近日宣布在美国加利福尼亚举行的ieeeradioandwirelessconference(ieee射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关——rf1200和rf1450。此次ieee射频无线会议于元月9~11日举行。 rf1200和rf1450利用rfmd业界领先的gaas生产工艺生产,并将进一步推进用于rfmd传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模gsm/wcdma蜂窝手机、天线调谐器、ieee802.11a/b/gwlan和蜂窝基础设施等的前端器件。 rf1200为一款单刀双掷(spdt)大功率开关,可满足wcdma产品的所有线性要求,具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。rf1200采用0.5μmgaasphemt工艺制成,采用2×2mm的无铅qfn封装,共有6个引脚。 rf1450为一款单刀四掷(sp4t)大功率开关,设计用于多模wcdma产品,可提供极佳的线性性能。rf1450内含集成解码逻辑,仅需两路控制线便可实现开关控制。rf1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅qfn封装,共有16个引脚。

  • RFMD采用GaAs pHEMT工艺制造射频开关RF1200和RF1450

    rfmd近日在美国加利福尼亚举行的ieee radio and wireless conference(ieee射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关rf1200和rf1450。 rf1200和rf1450利用rfmd业界领先的gaas生产工艺,并将进一步推进用于rfmd传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模gsm/wcdma蜂窝手机、天线调谐器、ieee802.11a/b/g wlan和蜂窝基础设施等的前端器件。 rf1200为一款单刀双掷(spdt)大功率开关,可满足wcdma产品的所有线性要求,具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。rf1200采用0.5μm gaas phemt工艺制成,采用2×2mm的无铅qfn封装,共有6个引脚。 rf1450为一款单刀4掷(sp4t)大功率开关,设计用于多模wcdma产品,可提供极佳的线性性能。rf1450内含集成解码逻辑,仅需两路控制线便可实现开关控制。rf1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅qfn封装,共有16个引脚。 rf1200具有以下特点: ·插入损耗低,0.35db@1ghz ·隔离性能好

  • RFMD射频开关RF1200和RF1450采用GaAspHEMT工艺制造

    rfmd近日在美国加利福尼亚举行的ieee radio and wireless conference(ieee射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关rf1200和rf1450。 rf1200和rf1450利用rfmd业界领先的gaas生产工艺,并将进一步推进用于rfmd传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模gsm/wcdma蜂窝手机、天线调谐器、ieee802.11a/b/g wlan和蜂窝基础设施等的前端器件。 rf1200为一款单刀双掷(spdt)大功率开关,可满足wcdma产品的所有线性要求,具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。rf1200采用0.5μm gaas phemt工艺制成,采用2×2mm的无铅qfn封装,共有6个引脚。 rf1450为一款单刀4掷(sp4t)大功率开关,设计用于多模wcdma产品,可提供极佳的线性性能。rf1450内含集成解码逻辑,仅需两路控制线便可实现开关控制。rf1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅qfn封装,共有16个引脚。 rf1200具有以下特点: 插入损耗低,0.35db@1ghz 隔

  • RFMD宣布推出两款最新的射频开关RF1200和RF1450

    rfmd近日宣布在美国加利福尼亚举行的ieee radio and wireless conference(ieee射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关——rf1200和rf1450。此次ieee射频无线会议于元月9~11日举行。 rf1200和rf1450利用rfmd业界领先的gaas生产工艺生产,并将进一步推进用于rfmd传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模gsm/wcdma蜂窝手机、天线调谐器、ieee802.11a/b/g wlan和蜂窝基础设施等的前端器件。 rf1200为一款单刀双掷(spdt)大功率开关,可满足wcdma产品的所有线性要求,具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。rf1200采用0.5μm gaas phemt工艺制成,采用2×2mm的无铅qfn封装,共有6个引脚。 rf1450为一款单刀四掷(sp4t)大功率开关,设计用于多模wcdma产品,可提供极佳的线性性能。rf1450内含集成解码逻辑,仅需两路控制线便可实现开关控制。rf1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅qfn封

rf1450替代型号

RF1293 RF1200 RF107 RF001 REVA REV2.1 REV1.1 REV1.0 RESISTOR REPLACE

RF1K49093 RF2000 RF2001T4S RF2103P RF2104 RF2117 RF2126 RF2131 RF2132 RF2138

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