RS507
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SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
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式中，f为开关频率。---如果缓冲电路电阻过小，会使电流波动，mosfet开通时的漏极电流初始值将会增大，因此，希望选取尽可能大的电阻，缓冲电阻上的功耗与其阻值无关，可由式(3)求出。(3)---式中，ls是缓冲电路的电感。---经计算、匹配，选取图2所示的缓冲电路和参数。 控制器的设计 ---控制器的设计主要包括硬件控制系统的设计和软件的实现，下面从这两方面加以阐述。---● 转速闭环控制器的硬件设计---(1)整流回路的设计---直流电动机获得直流电源是通过整流电路来实现的，本系统采用rs507型单相桥式集成整流电路。由于桥式整流电路实现了全波整流电路，它将整流信号的负半周也利用起来，所以在变压器副边电压有效值相同的情况下，输出电压的平均值是半波整流电路的两倍，见式(4)。(4) (2)硬件整体回路的设计---控制系统的硬件整体结构图如图3所示，可见强电和弱电的分离是通过tlp250来实现的，其pwm控制信号经过转速调节控制算法的解算之后，由tms320lf2407的pwm口输出。经过tlp250光耦，放大、整形之后驱动功率mosfet(irf840)。输入电枢绕组的直流电压经过pw
校正的功能，同时把输入直流电压提升到400v ;后级为双管正激的pwm 电路，把400 v 母线电压降至12 v ，主电路结构如图3 所示。 主要设计参数为: 输入电压uin = 220 vac ， 50hz ;输出额定电压uo = 12 v ; 输出额定电流io = 20a ;工作频率67 khz ; c1 = 220 μf ;变压器变比12 :1 ;电感l1 = 1 mh ;l2 = 100μh ;功率因数> 0. 98 。主开关q1 、q2 、q3 : irf840 ; 整流桥rs507 ; 续流二极管d5 : hfa0 8 tb6 0 ; 续流二极管d8 、d9 : 3 0 cpq0 6 0 。 图8 输入电压电流和输出电压的波形 图9 开关管驱动波形 由图8 可以看出，经校正后的输入电流波形得到很好的改善，为正弦波，功率因数大大提高，输出电压稳定在12 v。由驱动波形可看出变换器工作在前缘/后缘调制方法。 4 结 论 在两级功率因数校正变换器中，前缘/ 后缘调制方法能有效减少直流连接电容的纹波电流大小，进而减小整个两级变换器的体积。本文
其外形。 全桥的正向电流有0.5a、1a、1.5a、2a、2.5a、3a、5a、10a、20a、35a、50a等多种规格，耐压值（最高反向电压）有25v、50v、100v、200v、300v、400v、500v、600v、800v、1000v等多种规格。 常用的国产全桥有佑风yf系列，进口全桥有st、ir等。 整流桥命名规则 一般整流桥命名中有3个数字，第一个数字代表额定电流，a;后两个数字代表额电压（数字*100），v 如：kbl410 即4a,1000v rs507 即5a,700v 整流这一个术语，它是通过二极管的单向导通原理来完成工作的，通俗的来说二极管它是正向导通和反向截止，也就是说，二极管只允许它的正极进正电和负极进负电。二极管只允许电流单向通过，所以将其接入交流电路时它能使电路中的电流只按单向流动，即所谓“整流”,用两只管是半泼整流，四只是全泼整流。
--式中，f为开关频率。---如果缓冲电路电阻过小，会使电流波动，mosfet开通时的漏极电流初始值将会增大，因此，希望选取尽可能大的电阻，缓冲电阻上的功耗与其阻值无关，可由式(3)求出。(3)---式中，ls是缓冲电路的电感。---经计算、匹配，选取图2所示的缓冲电路和参数。 控制器的设计 ---控制器的设计主要包括硬件控制系统的设计和软件的实现，下面从这两方面加以阐述。---● 转速闭环控制器的硬件设计---(1)整流回路的设计---直流电动机获得直流电源是通过整流电路来实现的，本系统采用rs507型单相桥式集成整流电路。由于桥式整流电路实现了全波整流电路，它将整流信号的负半周也利用起来，所以在变压器副边电压有效值相同的情况下，输出电压的平均值是半波整流电路的两倍，见式(4)。(4) (2)硬件整体回路的设计---控制系统的硬件整体结构图如图3所示，可见强电和弱电的分离是通过tlp250来实现的，其pwm控制信号经过转速调节控制算法的解算之后，由tms320lf2407的pwm口输出。经过tlp250光耦，放大、整形之后驱动功率mosfet(irf840)。输入电枢绕组的直流电压经过pw
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