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TrueFFS上VxWorks 应用程序的启动及动态更新
图2所示，vxworks中trueffs的层次结构包括内核层、翻译层、socket层、mtd层。由于vxworks对trueffs进行了优秀的层次划分和封装，用户一般不需要对上述基本层次代码进行修改。mtd层实现了对常用几种类型flash的读、写、擦除等基本控制。如果用户选用了支持的类型，则基本不需要编写代码；而如果用户选用了特殊类型的flash，则可以参考用例代码完成对应mtd层代码的编写。 2．2 mtd层代码实现由于本系统中选用的2片flash为spansion公司的s29al032d，因此需要编写对应的驱动代码。对于mtd层，一般向上提供mtd识别、flash连续扇区擦除、flash连续数据写等主要接口函数，可以不提供单独的镜像函数，系统会使用内部缺省的镜像函数。需要在2片flash上实现trueffs，即每片flash相当于一个分区，这一点在编写驱动程序时需要重点考虑。在mtd层驱动程序中，flash的单个字节(或字)写入接口函数为重点，不同flash类型以及不同的端口宽度都会导致该函数的实现不同。其写操作流程如图3所示。为了在两片flash上实现2个文件
基于DDS的高精度任意波形发生器设计
为fpga控制单元、波形存储单元、波形产生单元。波形存储单元主要包括flash和sram，flash用于存储各种波形数据，波形产生时，fpga先将要产生的波形数据从flash读入sram，再利用相位累加器的累加值从sram中读取波形数据。波形产生单元主要完成波形数据的产生，首先将sram读出的波形幅度数据送入d／a转换器，产生信号的阶梯序列波，再通过低通滤波器和功率放大电路产生输出信号。 3 系统硬件设计 3．1 flash连接电路图 flash采用美国飞索半导体公司的s29al032d，其容量为32 mb，它用于存储各种波形的幅度信息，其存储形式如图4所示。由图4可知，地址区间0x000000～0x01ffff存储正弦波幅度值，地址区间0x020000～0x03ffff存储三角波数据，地址区间0x040000～0x05ffff存储锯齿波数据，地址区间0x060000～0x07ffff存储白噪声数据，地址区间0x080000～0x0fffff为4个用户自定义区，存储4种用户需产生的周期波形数据。 3．2 ram连接电路图 ram采用美国芯成半导体公司

关于DM642硬件设计的问题（缓冲器、信号完整性）
flashrom我是十天前在中发电子市场采购板上的芯片和元器件。因为没买到s29al032d，才改用的am29lv033c(只买到120ns的)，从中发一楼的科伟奇柜台购得。

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