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  • Diodes发布新型封装平台及新系列分立器件

    司尚在开发可用于阵列的6引脚和8引脚qfn平台。 随dfn封装平台，diodes公司还发布了多种分立器件，包括四种肖特基二极管和电压为5.6v到24v的一系列齐纳二极管。该公司还计划采用无铅qfn封装技术来封装其开关二极管和npn/pnp晶体管。 这种无铅封装设计有助于器件更加有效地散热。因而其肖特基二极管和齐纳二极管的功率耗散均可达到250ww，比面积更大的表面贴装器件的散热效率更高。 该公司采用这种新型dfn封装的肖特基二极管的型号包括bas40lp、bat54lp、sdm10u45lp和sdm20u30lp，而齐纳二极管的型号则包括bzt52c5v6lp、bzt52c6v2lp、bzt52c6v8lp、bzt52c7v5lp、bzt52c8v2lp、bzt52c9v1lp、bzt52c10lp、bzt52c11lp、bzt52c12lp、bzt52c13lp、bzt52c15lp、bzt52c16lp、bzt52c18lp、bzt52c20lp、bzt52c22lp和bzt52c24lp。

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SDKS SDK05 SDI2415 SDFSDFS SDFSD SDC1741 SDC1 SDBC-DK3 SDALTEVK SDA9589

SDM20U30LP SDM4953 SDRAM SDRC SDXILEVK SE078 SE090 SE105 SE1051 SE1052

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