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LOW INPUT CURRENT PHOTOTRANSISTOR OP...
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t进入放大区，此时电流控制环开始起作用，输出呈恒流特性。即使输出端发生短路故障，使得io↑，uo→0v，由于电阻r6和r4上的总压降约为1.2v，仍能维持vt和光耦合器中led的正常工作。r3为基极限流电阻。 1.2 15w的pc机待机电源电路 一种输出功率为15w的pc机待机电源电路如图2所示。该电源可提供两路输出：主输出为＋5v、3a；辅助输出则为＋12v、20ma。总输出功率为15.24w,电源效率高于78％。电路中采用两片集成电路：tny267p型微型单片开关电源（ic1），sfh615-2型线性光耦合器（ic2）。直流输入电压为140v～375v，这对应于交流输入电压为230v±15％或者110／115v倍压输入的情况。利用tny267p的欠压检测、自动重启动和高频开关特性，允许使用体积较小、价格较低的ee22型高频变压器磁芯。tny267p芯片采用的是dip-8封装形式，它能滤除因输出滤波电容缓慢放电而引起自动重启动时，在输出电压波形上形成的毛刺。当输入电压低于欠压值时，tny267p就自动关断，起到保护作用；仅当输入电压高于欠压阈值时才工作。r2、r3为欠压阈值设定电阻。二者
uv脚即可监视输入电压，在上电时将功率 mosfet关断，直到直流输入电压v1达到欠压保护阈值（100v）为止；正常工作后如vi突然降低，也会将功率mosfet关断，起到保护作用。在自动重启状态下功率mosfet将停止工作，此时哪存在欠压条件，自动重启动计数器将停止计数。 如en/uv脚未接外部电阻器，则输入欠压检测功能将被禁止。 4 tny256的典型应用 由tny256组成的5.5w、9vdc电源适配器电路如图3所示，交流输入电压范围为 85～265v。图中u2为光磁耦合器sfh615-2，u3为可调式并联精密稳压器tl431clp，f1为保险丝电阻器。85～265v交流电经过 d1～d4桥式整流和c1、c2滤波后，得到约300v的直流高压vi。鉴于在功率mosfet关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器r3、c3和超快恢复二极管d5（1n4937）组成的功率mosfet漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护tny256内的功率mosfet不受损坏。c3选用10000pf/1kv的高压陶瓷电容器。 图３ 5.5w、9vdc
接在vi和en/uv脚即可监视输入电压，在上电时将功率mosfet关断，直到直流输入电压v1达到欠压保护阈值（100v）为止；正常工作后如vi突然降低，也会将功率mosfet关断，起到保护作用。在自动重启状态下功率mosfet将停止工作，此时哪存在欠压条件，自动重启动计数器将停止计数。图3如en/uv脚未接外部电阻器，则输入欠压检测功能将被禁止。 4 tny256的典型应用 由tny256组成的5.5w、9vdc电源适配器电路如图3所示，交流输入电压范围为85～265v。图中u2为光磁耦合器sfh615-2，u3为可调式并联精密稳压器tl431clp，f1为保险丝电阻器。85～265v交流电经过d1～d4桥式整流和c1、c2滤波后，得到约300v的直流高压vi。鉴于在功率mosfet关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器r3、c3和超快恢复二极管d5（1n4937）组成的功率mosfet漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护tny256内的功率mosfet不受损坏。c3选用10000pf/1kv的高压陶瓷电容器。 次级电压通过d6、c6、c7、l3和c8整充
n/uv脚即可监视输入电压，在上电时将功率mosfet关断，直到直流输入电压v1达到欠压保护阈值（100v）为止；正常工作后如vi突然降低，也会将功率mosfet关断，起到保护作用。在自动重启状态下功率mosfet将停止工作，此时哪存在欠压条件，自动重启动计数器将停止计数。 如en/uv脚未接外部电阻器，则输入欠压检测功能将被禁止。 4 tny256的典型应用 由tny256组成的5.5w、9vdc电源适配器电路如图3所示，交流输入电压范围为85～265v。图中u2为光磁耦合器sfh615-2，u3为可调式并联精密稳压器tl431clp，f1为保险丝电阻器。85～265v交流电经过d1～d4桥式整流和c1、c2滤波后，得到约300v的直流高压vi。鉴于在功率mosfet关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器r3、c3和超快恢复二极管d5（1n4937）组成的功率mosfet漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护tny256内的功率mosfet不受损坏。c3选用10000pf/1kv的高压陶瓷电容器。 图３ 5.5w、9vdc电
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