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  • Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω

    决方案更简单,因此,这些新型器件可使设计人员在小型及中型电源转换器中实施成本更低的更小型有源钳位设计。 推出的这些功率mosfet主要面向电信、数据通信和工业产品的dc-dc转换器中的初级端(primary-side)有源钳位电路。凭借其所具有的占位面积和1.2ω~2.35ω的导通电阻值,这些功率mosfet在该领域体现了业界最佳的导通电阻水平。 除采用sc-70和sot-23封装的器件外,siliconix还正在推出面向同样应用的两款powerpak so-8器件。-150v si7439dp提供了0.09mω的导通电阻值,而-200v si7431dp的额定电阻值为0.174mω。 来源:小草

  • SI7439DP

    电流参数:ID=-3A/IDM=-50A/IS=-1.6A电压参数:UDS=-150V/UGS=±20V功 率: PD=1.9W其他参数:10V/0.073Ω、6V/0.07Ω,trr=100ns极性:P

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