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  • Vishay推出首款采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET系列

    ；它在4.5v栅极驱动时典型栅极电荷低至13.2 nc，在10v栅极驱动时低至28 nc。 与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5v及10v时栅极电荷分别降低45%与36%，fom降低50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。 vishay的30v turbofet系列包括采用powerpak 1212-8封装的新型si7718dn和采用powerpak so-8封装的si7784dp。两款mosfet在4.5v和10v时典型栅极电荷分别为13.7 nc和30 nc，且在4.5v和10v时导通电阻与栅极电荷乘积fom分别为112.34 mω-nc和180mω-nc。采用powerpak so-8封装的20v sis426dn器件sir496dp也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素，且100%通过rg和uis测试。 这些器件将在同步降压转换器中用作高端mosfet，通过使用负载点(pol)功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块(vrm)、服务器及其他系统的功耗

  • Vishay推出两款20V和两款30Vn通道器件SiS426DN和SiR496DP

    0mω-nc；它在4.5v栅极驱动时典型栅极电荷低至13.2 nc，在10v栅极驱动时低至28 nc。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5v及10v时栅极电荷分别降低45%与36%，fom降低50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。 vishay的30v turbofet系列包括采用powerpak 1212-8封装的新型si7718dn和采用powerpak so-8封装的si7784dp。两款mosfet在4.5v和10v时典型栅极电荷分别为13.7 nc和30 nc，且在4.5v和10v时导通电阻与栅极电荷乘积fom分别为112.34mω-nc和180mω-nc。采用powerpak so-8封装的20v sis426dn器件sir496dp也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素，且100%通过rg和uis测试。 这些器件将在同步降压转换器中用作高端mosfet，通过使用负载点(pol)功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块(vrm)、服务器及其他系统的功耗。

  • Vishay Siliconix采用 TurboFET™技术的第三代功率 MOSFET

    13.2 nc，在 10v 栅极驱动时低至 28 nc。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5v 及 10v 时栅极电 荷分别降低 45% 与 36%，fom 降低 50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。 vishay 的 30v turbofet 系列包括采用 powerpak 1212-8 封装的新型 si7718dn 和采用 powerpak so-8 封装的 si7784dp。两款 mosfet 在 4.5v 和 10v 时典型栅极电荷分别为 13.7 nc 和 30 nc，且在 4.5v 和 10v 时导通电阻与栅极电荷乘积 fom 分别为 112.34 m?-nc 和 180 m?-nc。采用 powerpak so-8 封装的 20v sis426dn 器件 sir496dp 也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素，且 100% 通过 rg 和 uis 测试。 这些器件将在同步降压转换器中用作高端 mosfet，通过使用负载点 (pol) 功率转

  • Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET采用TurboFET技术

    荷低至 13.2 nc，在 10v 栅极驱动时低至 28 nc。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5v 及 10v 时栅极电荷分别降低 45% 与 36%，fom 降低 50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。 vishay 的 30v turbofet 系列包括采用 powerpak 1212-8 封装的新型 si7718dn 和采用 powerpak so-8 封装的 si7784dp。两款 mosfet 在 4.5v 和 10v 时典型栅极电荷分别为 13.7 nc 和 30 nc，且在 4.5v 和 10v 时导通电阻与栅极电荷乘积 fom 分别为 112.34 m-nc 和 180 m-nc。采用 powerpak so-8 封装的 20v sis426dn 器件 sir496dp 也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素，且 100% 通过 rg 和 uis 测试。 这些器件将在同步降压转换器中用作高端 mosfet，通过使用负载点 (pol) 功率转换有

  • Vishay推出采用TurboFET技术MOSFETSiS426DN和SiR496DP

    0mω-nc；它在4.5v栅极驱动时典型栅极电荷低至13.2 nc，在10v栅极驱动时低至28 nc。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5v及10v时栅极电荷分别降低45%与36%，fom降低50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。 vishay的30v turbofet系列包括采用powerpak 1212-8封装的新型si7718dn和采用powerpak so-8封装的si7784dp。两款mosfet在4.5v和10v时典型栅极电荷分别为13.7 nc和30 nc，且在4.5v和10v时导通电阻与栅极电荷乘积fom分别为112.34mω-nc和180mω-nc。采用powerpak so-8封装的20v sis426dn器件sir496dp也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素，且100%通过rg和uis测试。 这些器件将在同步降压转换器中用作高端mosfet，通过使用负载点(pol)功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块(vrm)、服务器及其他系统的功耗。

si7784dp替代型号

SI7633DP SI7462DP SI7456 SI7439DP SI7431DP SI7390DP SI7382DP SI7356DP SI-7300 SI7220DN

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