当前位置:维库电子市场网>IC>si9953dy 更新时间:2024-04-24 02:17:15

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历史最低报价:¥0.8000 历史最高报价:¥12.0000 历史平均报价:¥2.1850

si9953dy中文资料

  • 制造商:

    Vishay

  • 晶体管极性:

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    20 V

  • 闸/源击穿电压:

    +/- 20 V

  • 漏极连续电流:

    2.3 A

  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):

    0.25 Ohms

  • 配置:

    Dual

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装 / 箱体:

    SOIC-8 Narrow

  • 下降时间:

    10 ns

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 功率耗散:

    2 W

  • 上升时间:

    12 ns

  • 工厂包装数量:

    100

  • 典型关闭延迟时间:

    20 ns

  • SI9953DY

    电流参数:ID=±2.3A/IDM=±10A/IS=1.7A电压参数:UDS=-20V/UGS=±20V功 率: PD=2W其他参数:10V/0.12Ω、4.5V/0.22Ω,trr=70ns极 性:P

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