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vishay宣布推出新系列p通道mosfet，这些器件建立了vishay每单位面积最低导通电阻的新记录。 基于新一代trenchfet芯片技术的新型vishay siliconix器件采用powerpak sc-70封装(2.05mm×2.05mm)时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准sc-70封装(2.0mm×2.1mm)时为80毫欧，采用sc-89封装(1.6mm×1.6mm)时为130毫欧。与市场上的mosfet相比，这些新型vishay siliconix器件的规格表现了高达63%的改进。 这些新型p通道trenchfet将用于手机、mp3 播放器、pda及数码相机等便携式终端产品中的负载开关、pa开关及电池开关，在这些应用中，它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间，它们的微型封装将节省宝贵的板面空间，从而实现更多功能。 在便携式电子系统中，通过在显示器或功率放大器等功能不用时关闭它们，或将系统从活动模式切换到睡眠模式，p通道mosfet执行基本功能，从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时，这些新型vishay siliconix器件
日前，vishay intertechnology, inc.宣布，该公司旗下子公司vishay siliconix位于加州santa clara的工厂已经通过了dscc的再次认证，所生产的模拟开关和复用器将按照mil-prf-38535标准进行筛选。 首先投产的新认定产品是dg409的高可靠性版本，即双线4通道差分模拟复用器：dg409将4个差分输入中的一个连到一个共用的双线输出上，具有44v的最大供电等级、100ω的低导通电阻、低至20pc的电荷注入。该器件提供3种军品级封装：16脚的cerdip、20脚的lcc和16脚的flat-pack。在2010年下半年，vishay还将发布更多高可靠性版本的模拟开关和复用器产品。 位于santa clara的vishay工厂正在进行军品级别的mosfet的质量认证。所有vishay siliconix的高可靠性mosfet和ic产品都在santa clara的工厂里制造，可满足业内最苛刻的稳定性要求。同时，vishay与几乎所有服务于高可靠性市场的分销商保持着长期稳定的合作关系。 除了遵循mil-prf-38535标准，vishay s
vishay的子公司siliconix incorporated推出一系列新型-150v和-200v p沟道功率mosfet，这些器件提供了面向有源钳位配置的小型解决方案。 这些新型p沟道功率mosfet基于siliconix的先进p沟道trenchfet技术，它们的小型尺寸降低了板级空间要求，从而可在使性能不变的情况下实现更小的整体产品设计。由于p沟道驱动电路比n沟道解决方案更简单，因此，这些新型器件可使设计人员在小型及中型电源转换器中实施成本更低的更小型有源钳位设计。 推出的这些功率mosfet主要面向电信、数据通信和工业产品的dc-dc转换器中的初级端(primary-side)有源钳位电路。凭借其所具有的占位面积和1.2ω～2.35ω的导通电阻值，这些功率mosfet在该领域体现了业界最佳的导通电阻水平。 除采用sc-70和sot-23封装的器件外，siliconix还正在推出面向同样应用的两款powerpak so-8器件。-150v si7439dp提供了0.09mω的导通电阻值，而-200v si7431dp的额定电阻值为0.174mω。 来源:小草
vishay推出新系列 p 沟道 mosfet，这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代 trenchfet 芯片技术的新型 vishay siliconix 器件采用 powerpak sc-70 封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为 29 毫欧，采用标准 sc-70 封装（2.0 mm×2.1 mm）时为 80 毫欧，采用 sc-89 封装（1.6 mm×1.6 mm）时为 130 毫欧。 与市场上仅次之的 mosfet 相比，这些新型 vishay siliconix 器件的规格表现了高达 63% 的改进。这些新型 p 沟道 trenchfet 将用于手机、mp3 播放器、pda 及数码相机等便携式终端产品中的负载开关、pa 开关及电池开关，在这些应用中，它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间，它们的微型封装将节省宝贵的板面空间，从而实现更多功能。 在便携式电子系统中，通过在显示器或功率放大器等功能不用时关闭它们，或将系统从活动模式切换到睡眠模式，p 沟道 mosfet 执行基本功能，从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时，这些新型 vis
齐备的100v dc/dc脉宽调制(pwm)控制器。该产品既可在推挽式总线转换器中单独使用，也可在半/全桥转换器中与ir的一个或两个lm5100驱动器配合使用。这种灵活性有利于设计人员开发一系列适用于多种电信、汽车及工业应用的低压总线转换器。 读者评论： 极好的封装形式。 太妙了！在此之前我从未听说过这种产品。其高达100v的输入电压对汽车工业设计人员来说非常有用，尤其是那些转换42vdc的应用。 有机会的话，我愿意使用！ 价位合理。 可用性排名：4 7、siliconix的功率mosfet整合了两种先进技术 编辑评注： siliconix推出的si4368dy和si7668dp是首批整合了该公司wfet与trenchfet gen ii技术的两款功率mosfet产品，具有极低的qgd值和rds(on)值。这种n沟道mosfet适合笔记本电脑、服务器和vrm模块中同步降压(单相或多相配置)dc/dc转换器中的低端应用，同时也适合于固定电信系统(以前推出的si4390dy和si7390dp用于高端配置)中的同步整流低端应用。 读者评论：
电阻与栅极电荷之乘积。 sir476dp 在 4.5v 栅极驱动时最大导通电阻为 2.1m?，在10v 栅极驱动时最大导通电阻为1.7m?。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对 mosfet 的关键优值 (fom)，在 4.5v 时为 89.25nc。 与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5v 及10v 时导通电阻分别低32% 与15%，fom 低 42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。 siliconix sir476dp 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 or-ing 应用中作为低端 mosfet。其低导通及低开关损失将使稳压器模块 (vrm)、服务器及使用负载点 (pol) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。 vishay 还推出了新型25v sir892dp 及sir850dp n 通道 mosfet。这些器件在 4.5v 时提供了 4.2m? 与 9m? 的导通电阻，在 10v 时为 3.2m? 及 7m?，典型栅极电荷为 20nc 及 8.4nc。所有这三款新
及开关和微电位计。收购mic公司的aeroflex部门，其是一家规模较小的无源元件生产商，增强了威世现存的薄膜产品的生产能力。 其他被动元件的收购还包括：2008年收购kemet的液钽电容业务，2011年收购huntington electic，2012年收购hirel systems。 1997年威世进入了分立半导体领域，并收购了lite-on power semiconductor公司65%的股份。1998年，威世收购了temic的半导体业务部门，这部分业务包括了telefunken和siliconix 80.4％的股份。telefunken和siliconix过去曾主要生产mosfet、rf 晶体管、二极管、光电子、电源和模拟开关ic。威世随后卖掉了它在lite-on的股份，以更专注siliconix和telefunken的成功业务。 2001年，vishay收购了infineon technologies的红外元件业务和全球二极管和二极管和整流器全球领先制造商general semiconductor。general semiconductorhe infineon的红外元件业务，增
日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出两种新系列四通道spst cmos模拟开关，这些器件将高开关速度与高信号带宽进行了完美结合，可用于众多开关应用，其中包括音频、视频、数据及电源。 vishay siliconix dg451及dg454系列器件具有四个可独立选择的44v spst开关，每个均具有4ω的典型导通电阻及0.2ω的典型平坦度，这两个参数是低失真音频信号开关的理想参数。 所有这些器件均可与vishay siliconix dg411、dg412及dg413引脚兼容，并且具有极低的导通电阻及超快的开关时间。此外，dg454系列还提供了无需使用逻辑电压引脚的优势。该功能的优点包括无需5v电源便可运行，无需连接逻辑电压引脚的pcb迹线，也无需电源排序。 dg451与dg454在正常情况下为闭合状态，而dg452与dg455在正常情况下为断开状态。dg453与dg456均具有两个在正常情况下为闭合状态的开关，以及两个在正常情况下为断开状态的开关。这些选择为设计人员提供了在启动过程中的正确开关状况，以满足他们特定
vishay宣布推出新系列p通道mosfet，这些器件建立了vishay每单位面积最低导通电阻的新记录。 基于新一代trenchfet芯片技术的新型vishay siliconix器件采用powerpak sc-70封装(2.05mm×2.05mm)时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准sc-70封装(2.0mm×2.1mm)时为80毫欧，采用sc-89封装(1.6mm×1.6mm)时为130毫欧。与市场上的mosfet相比，这些新型vishay siliconix器件的规格表现了高达63%的改进。 这些新型p通道trenchfet将用于手机、mp3 播放器、pda及数码相机等便携式终端产品中的负载开关、pa开关及电池开关，在这些应用中，它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间，它们的微型封装将节省宝贵的板面空间，从而实现更多功能。 在便携式电子系统中，通过在显示器或功率放大器等功能不用时关闭它们，或将系统从活动模式切换到睡眠模式，p通道mosfet执行基本功能，从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时，这些新型vishay siliconix器件的功耗很低，因为它们超低的导通
日前，vishay(威世)宣布， vishay siliconix推出新款n沟道功率mosfet通过jan认证的，分别是60v 2n6660jantx/jantxv和90v 2n6661jantx/jantxv。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封to-205ad(to-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。 vishay siliconix的工厂位于加州santa clara，已被dscc重新认证，可采用mil-prf-19500标准对所生产的mosfet进行筛选。在用于军工和重要航空应用的系统中，mil-prf-19500标准树立了对分立器件的性能、质量和可靠性要求的准绳。 今天推出的器件适用于ttl/cmos直接逻辑电平接口，继电器、螺线管、灯、电锤、显示器、存储器和晶体管的驱动，以及电池供电系统和以及固态继电器。mosfet的密封to-205ad封装可承受军工和航天应用中更高的温度。 60v 2n6660jantx/jantxv在10v下的典型导通电阻低至1.3ω，栅源阈值电压为1.7v，开关速度为8ns。90v 2n6661jantx/jantxv在10v
该电路利用一个siliconix公司的vmp-4功率场效应管来提供11db的增益和26v的电源，或者是14db的增益和36v的供应，宽频带设计使得频率的范围宽达600mhz。射频功率场效应管在160mhz时的输出为13w，并附带有高增益，无故障。 来源:zhengyuan
利用电源间180度的相位差和siliconix的场效应晶体管ut83的输出来将音频输入在没有变压器的情况下转换成推挽式输出。电路的每个半周期的电压增益大约是0.8。频率响应指的是1khz的频率在50hz到50khz的范围内的变化范围不会超过3db。 来源:zhenglili
对于高达15w的功率，从10赫兹到50兆赫的频率上的响应是平坦的。在15兆赫的频率上，全功率输出的总谐波失真是0.25％。输出级使用连接管在推挽式作为三极管。输入晶体管可以是任何飞利浦bfq10–16科或者等值的替换，比如siliconix e401。 来源:zhengyuan
siliconix 公司：dg221是单片四路spst开关,dg428/dg528为8-1模拟复用器，dg485为串行输入8-1模拟复用器，dg535/536是一个16-1模拟复用器，
转贴贴片三极管/贴片二极管标记与型号对照1 highway 发表于 2003-11-1 16:02 器件替换 ←返回版面 the manufacturer abbreviations used include: hp hewlett-packard fch fairchild phi philips sie siemens zet zetex sgs sgs-thompson sil siliconix itt itt semiconductors mot motorola nat national semiconductor roh rohm tem temic semiconductorscode devide manuf. pinout equivalent/info005 sstpad5 sil j pad-5 5pa leakage diode010 sstpad10 sil j
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