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sir892dp中文资料

  • Vishay推出新型功率MOSFET SiR476DP

    与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5v及10v时导通电阻分别低32%与15%，fom低42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。 siliconix sir476dp将在同步降压转换器以及二级同步整流及or-ing应用中作为低端mosfet。其低导通及低开关损失将使稳压器模块(c)、服务器及使用负载点(pol)功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。 vishay还推出了新型25v sir892dp和sir850dpn通道mosfet。这些器件在4.5v时提供了4.2mω与9mω的导通电阻，在10v时为3.2mω及7mω，典型栅极电荷为20nc及8.4nc。所有这三款新型功率mosfet均采用powerpak so-8封装类型。这些器件无铅(pb)，无卤素，并且符合rohs，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。 目前，sir476dp, sir892dp, 及sir850dp的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。 来源:ks99

  • Vishay的新型Siliconix25VTrenchFET® GenIII功率MOSFET刷新了业界最佳导通电阻记录

    通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5v 及10v 时导通电阻分别低32% 与15%，fom 低 42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。 siliconix sir476dp 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 or-ing 应用中作为低端 mosfet。其低导通及低开关损失将使稳压器模块 (vrm)、服务器及使用负载点 (pol) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。 vishay 还推出了新型25v sir892dp 及sir850dp n 通道 mosfet。这些器件在 4.5v 时提供了 4.2m? 与 9m? 的导通电阻，在 10v 时为 3.2m? 及 7m?，典型栅极电荷为 20nc 及 8.4nc。所有这三款新型功率 mosfet 均采用 powerpak so-8 封装类型。这些器件无铅 (pb)，无卤素，并且符合 rohs，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。 目前，sir476dp、sir892dp及sir850dp 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周

  • 新型25VTrenchFETGenIII功率MOSFET（Vishay）

    开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5v 及 10v 时导通电阻分别低 32% 与 15%，fom 低 42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。 siliconix sir476dp 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 or-ing 应用中作为低端 mosfet。其低导通及低开关损失将使稳压器模块 (vrm)、服务器及使用负载点 (pol) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。 vishay 还推出了新型 25v sir892dp 及 sir850dp n 通道 mosfet。这些器件在 4.5v 时提供了 4.2m? 与 9m? 的导通电阻，在 10v 时为 3.2m? 及 7m?，典型栅极电荷为 20nc 及 8.4nc。所有这三款新型功率 mosfet 均采用 powerpak so-8 封装类型。这些器件无铅 (pb)，无卤素，并且符合 rohs，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。 目前，sir476dp、sir892dp 及 sir850dp 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～1

  • Vishay推出新型功率MOSFETSiR476DP

    nc。 与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5v及10v时导通电阻分别低32%与15%，fom低42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。 siliconix sir476dp将在同步降压转换器以及二级同步整流及or-ing应用中作为低端mosfet。其低导通及低开关损失将使稳压器模块(c)、服务器及使用负载点(pol)功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。 vishay还推出了新型25v sir892dp和sir850dpn通道mosfet。这些器件在4.5v时提供了4.2mω与9mω的导通电阻，在10v时为3.2mω及7mω，典型栅极电荷为20nc及8.4nc。所有这三款新型功率mosfet均采用powerpak so-8封装类型。这些器件无铅(pb)，无卤素，并且符合rohs，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。 目前，sir476dp, sir892dp, 及sir850dp的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。 欢迎转载，信息来源维库电子市场网（ww

  • Vishay推出一款新型25Vn通道器件功率MOSFET系列SiR892DP和SiR850DPn

    低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5v 及 10v 时导通电阻分别低 32% 与 15%，fom 低 42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。 siliconix sir476dp将在同步降压转换器以及二级同步整流及 or-ing 应用中作为低端 mosfet。其低导通及低开关损失将使稳压器模块 (vrm)、服务器及使用负载点 (pol) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。 vishay 还推出了新型 25v sir892dp 和sir850dpn 通道 mosfet。这些器件在 4.5v 时提供了 4.2m? 与 9m? 的导通电阻，在 10v 时为 3.2m? 及 7m?，典型栅极电荷为 20nc 及 8.4nc。所有这三款新型功率 mosfet 均采用 powerpak so-8 封装类型。这些器件无铅 (pb)，无卤素，并且符合 rohs，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。 目前，sir476dp, sir892dp, 及sir850dp的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12

  • Vishay新型功率MOSFET刷新业界最佳导通电阻记录

    而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5v 及 10v 时导通电阻分别低 32% 与 15%，fom 低 42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。 siliconix sir476dp 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 or-ing 应用中作为低端 mosfet。其低导通及低开关损 失将使稳压器模块 (vrm)、服务器及使用负载点 (pol) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。 vishay 还推出了新型 25v sir892dp 及 sir850dp n 通道 mosfet。这些器件在 4.5v 时提供了 4.2m? 与 9m? 的导通电阻，在 10v 时为 3.2m? 及 7m?，典型栅极电荷为 20nc 及 8.4nc。所有这三款新型功率 mosfet 均采用 powerpak so-8 封装类型。这些器件无铅 (pb)，无卤素，并且符合 rohs，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）

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