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不景气俄罗斯Sitronic已延后其12吋晶圆厂计划
由于产业衰退，俄罗斯半导体厂商sitronic已经延后其12吋晶圆厂计划；该公司是在去年表示将大幅升级其半导体技术，让俄罗斯也正式跨足现代化芯片产业。当时sitronic计划兴建一座12吋晶圆厂，采用65纳米或45纳米节点，并预计在2010年开始。然而因为全球性的不景气，该计划已经确定延后；sitronic的发言人表示，晶圆厂计划展开时程预定延至2012年。 sitronic强调不会取消该计划，拟在2010年为12吋晶圆厂筹募资金，并在2012年开始执行该计划。除了12吋晶圆厂，该公司也宣布打算与另一家俄罗斯业者russian corp. of nanotechnologies (rusnano)合作，兴建一座较小的90纳米晶圆厂。据了解，那将会是一座8吋厂，sitronics计划向st取得90纳米制程技术授权；而rusnano已经决定将为该合作计划投注65亿卢布(约2.047亿美元)的资金，sitronics则计划提供设备。芯片业务只是sitronics集团的一部份，该公司的其它业务还包括通讯设备、微电子组件、系统，以及it产品。
EPI吃紧原料掌握是关键
力，于2002年开始，陆续跨入芯片的扩散以及磊晶圆的制程，如强茂转投资璟茂、美国强茂，以及台半宜兰利泽厂，所生产之epi晶圆多提供自用及少数对外销售。受到供应面缩减，再加上二极管与power mosfet对epi的需求量有增无减，使得上半年epi报价逐季调涨，进入第三季传统旺季，国际epi大厂持续调涨，单季涨幅高达30-50%(未来报价将维持在第三季水平)。主要半导体epi供货商汉磊将明显受惠。 epi涨价，power mosfet相关ic设计厂商中，对富鼎先进最为有利。富鼎先进与sitronic 为长期合作伙伴，关系相当良好，已有提前备料，此外，也早与汉磊保持密切合作关系，所以对毛利率的影响将是相当有限。

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