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SPT IGBT Modules
SEMIKRON [Semikron International]
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栅极电压突然降至零，则沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使集电极电流有所下降，但由于n-区中注入了大量的电子和空穴对，因而集电极电流不会马上为零，而出现一个拖尾时间。 2 驱动电路的设计 2.1 igbt器件型号选择 1）igbt承受的正反向峰值电压 考虑到2-2.5倍的安全系数，可选igbt的电压为1 200 v。 2）igbt导通时承受的峰值电流。 额定电流按380 v供电电压、额定功率30 kva容量算。选用的igbt型号为semikron公司的skm400ga128d。 2.2 igbt驱动电路的设计要求 对于大功率igbt，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压vge负偏压-vge和门极电阻rg的大小，对igbt的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv／dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对igbt的开通特性、负载短路能力和dvce／dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负
电流参数：IC=565A/ICM=1130A/ICES=0.2mA电压参数：UCES=1200V/UGES=±20V/UGE(th)=5.5V备 注：软穿通式高速 IGBT 模块
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