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如图所示是由倒相器SN15844N（Dl～D4）、四2输入端与非门74HC00（D5～D8 ）等构成的方波倍频电路。
如图所示是由倒相器sn15844n（dl～d4）、四2输入端与非门74hc00（d5～d8 ）等构成的方波倍频电路。 图 方波倍频电路图 在图中，dl 为倒相器，输入信号经 dl倒相加到d2的输入端。当电容c1两端电压达到d2的阈值电压时，d2 的输出变为逻辑“0”，这时c2通过d2迅速放电。 当输入信号变为逻辑“1”时，c1过d1 放电， r2为c2充电。当c2两端电压达到d3 阈值电压时，d3 的输出变为逻辑“0”。与非门d5、d6、d7 和d8 构成异或门。异或门的蔺输入端为不同状态时，其输出为＂1”。 当两个输入端状态相同时，输出为“0”。由于sn15844n 的输出级晶体管的集电极是开路的，所以dl－d4的输出端和电源之间需加电阻，才能构成c1 和 c2的充电回路。 来源:菌子
如图所示为方波倍频电路。该电路中，门g1为倒相器。输入信号经g1倒相后加到g2的输入端。当c1两端电压达到g2的阈值电压时，g2的输出变为逻辑“0”，这时c2通过g2迅速放电。当输入信号回到逻辑“1”时，c1通过g1迅速放电，而c2又开始通过r2充电。当c2两端电压达到g3的阈值电压时，g3的输出变为逻辑“0”。与非门g5、g6、g7和g8构成异或门。异或门的两输入端一个为“1”，另一个为“0”时，其输出为“1”；如果两个输入端逻辑状态相同。则输出为“0”。由于sn15844n的输出级晶体管的集电极是开路的，所以g1～g4的输出端和电源之间需加电阻，才能构成c1和c2的充电回路。选择r1和r2时，必须使其阻值低于下一级输入阻抗。如果输入波形不太对称，可以微调r1和r2的阻值。可以根据需要，按上述电路构成方式加接同类电路进行多次倍频，直到某一个极限。该极限由g1～g4的传输延迟时间确定。采用这种移相的方式，输出脉冲宽度随输入信号频率的变化而变化。在较宽的范围内，阈值电压可以使延迟时间变化25％或更多。 来源:university
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