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  • 一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件

    阻关系,测量条件为25°c 。将80 mω、310 mω和 660mω650v cfd2器件与前代基于c3技术的600v cfd对比。 显然,全新的650v cfd2器件相对于前代技术,在动态特性(qrr、trr)和最低通态电阻之间达到更好的平衡。 图6 trr与通态电阻关系,测量条件为25°c。将80mω、310mω和660mω 650v cfd2器件与前代基于c3技术的600v cfd对比。 在hid桥上的性能评估 我们还将这些新器件的性能与hid半桥上采用的spd07n60c3进行了对比。通过采用新一代coolmos cfd2器件,可无需使用d2、d3、d4和d5二极管,从而降低了系统成本(图7)。 图7 典型的hid半桥电路。利用全新的coolmos(tm) 650v cfd2器件代替t2 和 t3晶体管,无需采用d2 至d5的二极管。 图8为t2 和t3晶体管为spd07n60c3以及d2、d3、d4和d5二极管使用时,获得的波形。采用这种设置时,我们可获得91.81%的效率。 图8 将spd07n60c3作为开关和d2至 d5二

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SPCE061A SPCA7550 SPCA751A SPCA718A SPCA716A SPCA563B SPCA561A SPCA536 SPCA533A SPC6601

SPECTRA SPH4692 SPHE6300A SPHE8202RQ SPHE8202S SPHE8281 SPI315 SPI-315 SPM0204UD5 SPM0205HD4

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