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（接上期http://www.dzsc.com/data/html/2011-9-8/98269.html） 并行i2c 总线存储器29lv800te 引脚排列示意图如图2 所示。 图2 并行i 2c总线存储器29lv800te引脚排列示意图 （2）spi 串行i 2c 总线存储器sst25vf512 介绍 spi i2c 总线是摩托罗拉公司推出的串行总线系统，它可以使存储器与mcu 以串行方式进行通信以交换信息。spi 串行i2c 总线存储器（sst25vf512）引脚排列示意图如图3所示。 图3 spi 串行i 2c总线存储器引脚图 sst25vf512是512 kbit存储器，采用单3.3 v 供电。 图3 中，ce# 引脚为芯片的片选端，当mcu 需要对该芯片进行读/ 写操作时，必须首先选中该芯片，即在ce# 端送出低电平时，才能对存储器进行读/ 写。 so 为mcu 输入/flash数据输出端；wp# 为写保护端，低电平有效，也就是说，当该脚为低电平时，禁止向芯片写入数据。 si 为mcu 输出/flash数据输入端；sck 为串行时钟端。
存储器，应把⑦脚接地；反之，应把⑦脚通过一个6.8 kω左右的上拉电阻接+5 v。(欲了解更多信息，请登陆www.dzsc.com/data) 3.pdp 彩电flash rom 存储器介绍 目前，pdp 彩电采用的flash rom 存储器，主要有两种形式：一种是并行总线形式，如康佳tm3718 pdp彩电采用的am29lv800d，海信tlm4788p／tlm5229ppdp 彩电采用的sst39vfl601；另一种是spi 串行总线形式，如长虹lsl0 机芯pdp 彩电采用的sst25vf512。 下面以并行总线存储器29lv800te 和spi 串行总线存储器sst25vf512 为例简要进行介绍。 （1）并行总线存储器29lv800te 介绍 并行总线存储器29lv800te 引脚排列示意图如图2 所示。 图2 并行i 2c总线存储器29lv800te引脚排列示意图 29lv800te 是容量为8 mb 的16 bit 并行存储器，采用单3.3 v 供电。图2 中的a0～a19 为20 bit地址线，dqo～dql5 为16 bit 数据线。we 引脚
tkscope实现spi存储器启动的仿真步骤及设置方法与nand flash启动是一样的。这里只强调选择flash算法的不同之处。 用户打开tkscope驱动安装目录下的extflash文件夹，找到lpc3000系列芯片spi存储器启动外部flash算法文件(路径为 tkscope＼configuration＼extflash)，如图8所示。spi接口的flash存储器有几种类型，tkscope仿真器会陆续提供相应的算法文件，存放在图8所示的ext-flash文件夹内。本文所用flash为sst25vf512，故选择 lpc3000_sst25xfxxx．flm。 同样，tkscope仿真spi存储器启动，也需要连续2次进入到仿真状态，第2次进入仿真状态才可正常、正确地调试。这种操作方法同样是由 lpc3000系列芯片spi存储器启动原理决定的：第1次进入仿真，主要任务是下载烧录程序代码到spi存储器中，可以看到flash编程提示框；第2 次进入仿真，主要任务是将lpc3000系列芯片复位，bootloader把spi存储器中的程序装载到内部ram中。 tkscope同样可以实现
读、写操作电压2.7～3.6V； 串行接口结构：SPI兼容模式0和模式3； 最大时钟频率：20MHz； 高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持超过100年；超低功耗，动态读出电流：7mA(典型值)，待机电流：8μA(典型值)； 灵活的擦除功能，均匀的4KB扇区，均匀的32KB叠加块； 快速擦除操作和字节编程时间，芯片擦除时间：70ms(典型值)，扇区/块擦除时间：18ms(典型值)，字节编程时间：14μs(典型值)； 自动地址增加(AAl)程序：字节编程操作减少整个芯片的编程时间； 写操作完成监测：软件状态； 保持引脚(HOLD#)：在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列； 写保护(WP#)：在状态寄存器中允许/失效锁操作方法； 软件写保护：在状态寄存器中通过块保护位写保护； 所有无铅装置遵从Rolls标准； 温度范围：0～+70℃(商用级C)
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