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sst39vf040-70-4c-wh价格行情

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型号厂家封装批号数量日期价格
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SST39VF040-70-4C-WH SST TSOP 2009/9/3 0:00:00 2.5000/pcs
SST39VF040-70-4C-WH SST SOP 05+ 2009/11/26 0:00:00 3.0000/pcs
SST39VF040-70-4C-WH SST SOP 2009/9/3 0:00:00 3.0000/pcs
SST39VF040-70-4C-WH SST 2009/9/3 0:00:00 3.0000/pcs
SST39VF040-70-4C-WH SST TSSOP 2009/9/3 0:00:00 3.0000/pcs
SST39VF040-70-4C-WH SST TSOP 438 2009/2/18 0:00:00 3.0000/pcs
SST39VF040-70-4C-WH SST TSOP 2008/11/10 0:00:00 3.0000/pcs
SST39VF040-70-4C-WH SST TSSOP-32 2008/11/10 0:00:00 3.0000/pcs
SST39VF040-70-4C-WH SST TSSOP 2009/8/18 0:00:00 3.1000/pcs

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引脚图及结构图
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制造商:
Microchip
产品种类:
闪存
数据总线宽度:
8 bit
存储类型:
NOR
存储容量:
4 Mbit
结构:
Sectored
接口类型:
Parallel
Supply Voltage - Max:
3.6 V
Supply Voltage - Min:
2.7 V
最大工作电流:
20 mA
工作温度:
+ 70 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TSOP
封装:
Tray
组织:
4 KB x 128

SST39VF040-70-4C-WH
组织结构为512K×8；读、写操作电压2.7～3.6V；高可靠性，保证100000次读/写，数据保持100年；低功耗操作，动态电流：5mA(典型值)，待机电流：1μA(典型值)；扇垦擦除操作功能：均匀的4KB扇区；快速读取时间：70ns；锁存地址和数据；快速擦除操作和字节编程时间，扇区擦除操作时间：18ms(典型值)，芯片擦除操作时间：70ms(典型值)；字节编程时间：14μs(典型值)，芯片重写时间：8s；自动调节写操作时间；写操作完成监测：Toggle位，Data＃轮询；兼容CMOS I/O；符合JEDEC标准；所有无铅装置遵从RoHS标准；温度范围：0～＋70℃(商用级C)

ARM部分配置芯片大量优惠供应
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