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  • ST PowerMESH IGBT新系列产品

    。powermesh igbt v系列产品采用了带状布局专利工艺,运用了一种新的载波周期控制。这种机制提高了集电极到发射极的饱和压降,并降低了关断损耗,使得其适合高达50khz高频应用。v系列stgp20nc60v、stgw20nc60v分别以to-220、to-247封装,均是30a、600v n通道产品。为了避免交叉传导环境,优化了反馈电容-输入电容比。其中,关断损耗还包括了遗留电流以及二极管恢复能损。stgw20nc60vd以to-247封装,组合打包了处于集电极与发射极之间的续流二极管。stgw40nc60v和stgw40nc60vd则以50a、600v的to-247封装,同时,stgw40nc60vd与一个反平行二极管组合封装在max247中。在额定电流下,这些产品都能工作于150°c,并能提供少于2.5v的集电极-发射极饱和压降。其价格从每10,000数量单元$1.25到$4.50不等。 来源:零八我的爱

  • ST绝缘栅双极晶体管能降低开关电源损耗

    术,这项技术能够改进器件的集电极-发射极饱和电压特性,同时还能降低开关损耗,从而使个系列产品适合高达50khz的开关应用。 stgp20nc60v和stgw20nc60v均为30a、600v n沟道器件,采用to-220或to-247封装。为避免交叉传导现象,降低栅电荷,这两个产品优化了crss/ciss比例。它们的开关损耗包括尾电流和二极管恢复能量。stgw20nc60vd是一个to-247封装的stgw20nc60v器件,区别是在同一个封装内的集电极与发射极之间增加一个续流二极管。而stgw40nc60v是一个to-247封装的50a、600v的器件,stgy40nc60vd是一个与stgw40nc60v类似的产品,不同点是在max247封装内增加一个反并联二极管。 所有器件的最大工作温度都是150℃,集电极-发射极饱和电压都很低,在额定电流时低于2.5v。订货10,000件的单价在1.25到4.50美元之间

stgw40nc60v替代型号

STGW40N120KD STGW30N120KD STGW20NC60VD STGW20NC60V STGP20NC60V STGDL6NC60D STG3P3M25N60 STG3P2M10N60B STG3157CTR STFM1000

STGY40NC60VD STI4600 STI4629 STI5100 STI5105 STI5505 STI5512 STI5514 STI5516 STI5517

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