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上一代产品降低多达40%,而且没有牺牲对其温度关系的严格控制。同时,通过对栅极指和覆盖式水平源极条氧化层的优化,确保内部栅电阻和固有电容都得到精确的控制。 除通态功耗大幅度降低外,新器件的开关功耗也很低。因栅极内部电阻得到控制,时间延迟缩短,从而使开关速度更快,达到新的高效开关电源的设计需求。此外,由于栅极固有电容被严格控制,交叉时间缩短和栅电荷减少得到保证,通过更加简单和更加低廉的栅极驱动电路,可以大幅度提高开关电源的效率。例如,在一个基于l4981的300w功率因数校正器上进行测试时,新产品stp25nm60n在230vac时的效率高达98%,输出功率达到250w。新的mdmesh mosfet系列产品可在高工作频率下提高效率,而且温度较低,所以,允许使用尺寸更小的磁器件和散热器,从而达到大幅降低设备尺寸的目的。 第二代mdmesh技术的另一个优点是,驱动器件的电压vgs变得更低,而电流处理能力变得更高。vgs电压范围被修改,驱动功能得到优化,噪声抑制能力增强,阈压范围保持不变。而且,新一代mdmesh技术支持更严格的rds (on)通态电阻要求。 首批上市的新产品系列包括分别采用to-247、to-
电流参数:ID=20A电压参数:UDS=600V/UGS=±25V功 率:Ptot=160W其他参数:10V/0.14Ω极 性:N