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  • ST推出全新系列功率MOSFET晶体管适用于设计液晶显示器

    阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员 可以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 来源:风中的叶子

  • 意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管

    sfet降低30%,设计人员可 以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3™技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。

  • ST推出全新系列功率MOSFET晶体管现已投产

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  • 意法半导体创新高压晶体管技术协助开发更可靠的高能效电源

    积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员可以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。

stw7n95k3替代型号

STW77N65M5 STW55NM60ND STW5095 STW5093 STW26NM60 STW25NM60N STW25NM50N STW20NM60FP STW20NM60 STW15NB50

STW81102 STX-RLINK STZT2222A SUB60N06 SUM110N04 SUM40N15-38 SUM45N25-58 SUMIDA SUMITOMO SUMMIT

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