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THS4271集成电路实验特性及其应用
摘要：以ti公司生产的集成运放ths4271为基础搭建实验测试电路，在定义的条件下实验，分别测量了运放的输入失调电压uio,输入失调电流iio,共模抑制比cmrr,开环差模放大倍数aud等主要参数。同时对测量的数据对应的相应的参数进行了简单分析。基于ths4271的单位增益稳定，低失真，高压摆率等特性，举出几个应用实例，来说明其在某些工程领域有一定的应用价值，供今后的使用者参考。虽然经过多年的发展，在现代集成电路与系统芯片（systemon chip,soc）中，集成电路运算放大器的应用依然非常广泛，并往往由应用需要对其性能提出苛刻的要求。因此围绕高性能集成电路运算放大器的研究经久不衰。文中结合实际项目的需要，对ths4271集成运放的主要参数进行了测试，并对结果和其应用进行了讨论，利于今后实验的开展，同时为器件的使用者提供参考。 1 芯片介绍 ths4271是ti公司生产的低噪声，高压摆率，单位增益稳定电压反馈放大器，其设计正常工作电压范围是5~15 v.兼有低噪声，高压摆率，宽带宽，低失真以及单位增益稳定的特性，使得ths4271具有高性能的表现。此放大器的使用者可以在一
测试测量与医学成像领域的模拟技术趋势
字设计工具。 bicom-ii 工艺实现了多种底层工艺技术的最佳结合，非常适用于先进的引脚电子技术应用。bicom-ii 是互补双极与 cmos 工艺的结合，其可提供出色的 beta 版，推出了优秀的双极晶体管尔利电压产品，并实现了更简单、更高性能的电路。15 伏互补双极工艺实现了用于运算放大器中的快速晶体管，成为多种模拟功能的构建块。cmos 工艺提供了 5 伏模拟晶体管，实现了设计灵活性。上述因素可简化开发，并帮助 ti 以更快的速度响应市场需求，并推出全面集成的引脚电子技术产品。 ths4271 是模拟功能的一个实例。它具备 1.4ghz 的带宽，是第一款在保持极低噪声 (3 nv／√hz) 条件下实现极快转换速率 (1000 v／_s) 的单位稳定增益运算放大器。 bicom-iii bicom-iii 是一种 5v 硅锗 (sige) 工艺，其开发用于超高速模拟集成电路，是基于硅技术 (si) 的电介质绝缘工艺，在基础区域添加了锗 (ge)。在基础区添加锗大大提高了载体的移动性，并实现了极快的瞬态时间。该工艺实现了真正的互补双极 npn 与 pnp 晶体管，传输频率 (

THS4271D的技术参数
产品型号:THS4271D
工作电压±15(V):－
工作电压±5(V):Yes
工作电压5(V):Yes
最小稳定增益(V/V):1
带宽@Acl(MHz):1400
转换率(V/us):1000
设置时间(典型值)(ns):38
输出电流(典型值)(mA):160
总谐波失真THD(Fc=1MHz)...

测试测量与医学成像领域的模拟技术趋势
字设计工具。 bicom-ii 工艺实现了多种底层工艺技术的最佳结合，非常适用于先进的引脚电子技术应用。bicom-ii 是互补双极与 cmos 工艺的结合，其可提供出色的 beta 版，推出了优秀的双极晶体管尔利电压产品，并实现了更简单、更高性能的电路。15 伏互补双极工艺实现了用于运算放大器中的快速晶体管，成为多种模拟功能的构建块。cmos 工艺提供了 5 伏模拟晶体管，实现了设计灵活性。上述因素可简化开发，并帮助 ti 以更快的速度响应市场需求，并推出全面集成的引脚电子技术产品。 ths4271 是模拟功能的一个实例。它具备 1.4ghz 的带宽，是第一款在保持极低噪声 (3 nv／√hz) 条件下实现极快转换速率 (1000 v／μs) 的单位稳定增益运算放大器。 bicom-iii bicom-iii 是一种 5v 硅锗 (sige) 工艺，其开发用于超高速模拟集成电路，是基于硅技术 (si) 的电介质绝缘工艺，在基础区域添加了锗 (ge)。在基础区添加锗大大提高了载体的移动性，并实现了极快的瞬态时间。该工艺实现了真正的互补双极 npn 与 pnp 晶体管，传输频率 (ft

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