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  • TPIC6B259DW的技术参数

    产品型号:tpic6b259dw漏源电压最大值(v):50工作电流(μa):20连续输出电流(ma):150峰值输出电流(a):0.500静态漏源导通电阻(ω):4.200传输延迟时间(ns):150输入兼容性:cmos封装/温度(℃):20soic/-40~125描述:功率逻辑8位可寻址锁存器价格/1片(套):￥10.20 来源:xiangxueqin

  • TPIC6B259DW的技术参数

    产品型号:TPIC6B259DW
    漏源电压最大值(V):50
    工作电流(μA):20
    连续输出电流(mA):150
    峰值输出电流(A):0.500
    静态漏源导通电阻(Ω):4.200
    传输延迟时间(ns):150
    输入兼容性:CMOS
    封装/温度(℃):20SOIC/-40~125
    描述:...

tpic6b259dw替代型号

TPIC6259DW TPIC2603NE TPIC2101N TPIC1021 TPD4104K TPCA8102 TPC8406 TPC8110 TPAK TPA751DGN

TPIC6B259N TPIC6B273 TPIC6B273DW TPIC6B273DWR TPIC6B273N TPIC6B595 TPIC6B595DW TPIC6B595DWR TPIC6B595N TPL521-1

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