XP1003
27.0-35.0 GHz GaAs MMIC Power Amplif...
MIMIX [Mimix Broadband]
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mimix宽带公司推出xp1003 gaas单片微波集成电路(mmic)功率放大器，并对线性应用进行了优化。这个两级功率放大器适合64 qam调制，三阶拦截点电平为34dbm。 xp1003还集成了lange耦合器，输入/输出回波损耗性能好，信号增益仅为16db。它采用0.15μm门宽gaas pseudomorphic high electron mobility transistor (phemt) device model technology, this chip covers the 27ghz to 35ghz frequency band. 该器件适合用于各种新型功率放大器，如毫米波点对点无线通讯产品、局部多点分布业务、satcom和vsat等无线产品。mimix在xp1003上已经进行了完全的晶圆rf、直流和输出功率测试，也按照mil-std-883方法2010进行可视检测。该芯片采取了表面钝化保护措施，后部有通孔及镀金部分，可通过传导环氧或裸片连接工艺进行处理。现在开始提供工程样品，供货期为六至八周。 来源:小草
mimix宽带公司推出xp1003 gaas单片微波集成电路(mmic)功率放大器，并对线性应用进行了优化。这个两级功率放大器适合64 qam调制，三阶拦截点电平为34dbm。 xp1003还集成了lange耦合器，输入/输出回波损耗性能好，信号增益仅为16db。它采用0.15μm门宽gaas pseudomorphic high electron mobility transistor (phemt) device model technology, this chip covers the 27ghz to 35ghz frequency band. 该器件适合用于各种新型功率放大器，如毫米波点对点无线通讯产品、局部多点分布业务、satcom和vsat等无线产品。mimix在xp1003上已经进行了完全的晶圆rf、直流和输出功率测试，也按照mil-std-883方法2010进行可视检测。该芯片采取了表面钝化保护措施，后部有通孔及镀金部分，可通过传导环氧或裸片连接工艺进行处理。现在开始提供工程样品，供货期为六至八周。
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