33200
2022+/SOT23
原装现货价格优势可提供样品可供更多数量
ZXMN2B01FTA
8921000
SOT23/TSM120N06LCS
一级代理现货 专注电子元件十三年，只做原装现货
ZXMN2B01FTA
19320
SOT23/2022+
原装现货 可含税 可配套 样品可拆
ZXMN2B01FTA
64513
SOT23/2021+
进口原装大量现货低价出售
ZXMN2B01FTA
62313
SOT23/22+
原装/免费送样/优质客户支持账期
ZXMN2B01FTA
60000
SOT23/20+
进口原装现货/特价销售
ZXMN2B01F
6500
SOT23/23+
只做原装现货
ZXMN2B01F
3000
-/-
-
ZXMN2B01F
28900
SOT23/21+
低价出售原装现货可看货假一罚十
ZXMN2B01F
30000
SOT23/2022+
进口原装现货供应，原装 假一罚十
ZXMN2B01F
154836
SOT23/22+
终端可以免费供样，支持BOM配单
ZXMN2B01F
6500
SOT23/21+
原装正品
ZXMN2B01F
6000
SOT23/21+
是终端可以免费供样，支持BOM配单
ZXMN2B01F
60000
SOT23/21+
十年配单，只做原装
ZXMN2B01F
9800
N/A/1808+
原装正品，亚太区混合型电子元器件分销
ZXMN2B01F
8400
SOT23/23+
专注配单，只做原装进口现货
ZXMN2B01F
-
SOT23/-
-
ZXMN2B01F
6800
SOT23/23+
专注配单，只做原装进口现货
ZXMN2B01F
6500
SOT23/21+
原装正品
ZXMN2B01F
20V SOT23 N-channel enhancement mode...
ZETEX [Zetex Semiconductors]
ZXMN2B01FPDF下载
ZXMN2B01FTA
20V SOT23 N-channel enhancement mode...
ZETEX [Zetex Semiconductors]
ZXMN2B01FTAPDF下载
zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:小草
zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:小草
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6(sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻(rds(on))分别低于75毫欧(mω)、100毫欧(mω)和200毫欧(mω)，使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs=4.5v和id=1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:零八我的爱
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6(sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻(rds(on))分别低于75毫欧(mω)、100毫欧(mω)和200毫欧(mω)，使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs=4.5v和id=1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:小草
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 zetex semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（mΩ;）、100毫欧（mΩ）和200毫欧（mΩ），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6（sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻分别低于75毫欧、100毫欧和200毫欧，使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。
zetexsemiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6（sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻(rds(on))分别低于75毫欧（mΩ）、100毫欧（mΩ）和200毫欧（mΩ），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs=4.5v和id=1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。
zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 详情请访问：www.zetex.com
联系人：
联系方式：
