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ZXMN3A14F

更新时间:2024-04-17 02:10:31
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ZXMN3A14F 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=3.9A/IDM=18A/IS=2.3A/ISM=18A
    电压参数:UDSS=30V/UGS=±20V
    功  率:PD=1W
    其他参数:10V/0.048Ω,4.5V/0.069Ω,trr=13ns
    极  性:N

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  • 大小:209.08KB
  • 厂家:ZETEX [Zetex Semiconductors]
  • 描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A14F 相关信息
  • Zetex把MOSFET功率耗散提升60%增强操作效率
    ...功率管理解决方案供应商Zetex推出全新20V和30V N沟道晶体管,使原有的SOT23封装MOSFET的导通电阻减半,而漏极电流提升了一倍,在25°C环境温度下功率耗散由625mW提升至1W。 全新ZXMN2A14F及ZXMN3A14F强化模式沟道MOSFET,采用Zetex SOT23封装,结点至环境的热阻较旧有SOT23器件低出37%,由每瓦特200°C锐减至125°C。 20V N沟道MOSFET可以在60mΩ 导通电阻和4.5V栅驱动下,提...
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