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DMG2307L-7

更新时间:2023-02-02 15:51:18
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    DMG2307L-7
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DMG2307L-7外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 2.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:8.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:371.3pF @ 15V
  • 功率 - 最大:760mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:DMG2307L-7DITR

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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