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IXTU01N100

更新时间:2025-07-05 15:54:11
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IXTU01N100外观图

IXTU01N100

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

  • 封装:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
IXTU01N100 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    100mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    80 欧姆 @ 100mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4.5V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    54pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    25W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
  • 供应商设备封装
    TO-251AA
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    Q1225942
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