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NVMFWS2D3P04M8LT1G

更新时间:2025-05-20 09:54:10
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NVMFWS2D3P04M8LT1G 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    31A（Ta），222A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    2.2 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.4V @ 2.7mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    157 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    5985 pF @ 20 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    3.8W（Ta），205W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN，5 引线
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
NVMFWS2D3P04M8LT1G推荐型号
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