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SI2301DS-T1

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  • 制造商:Vishay
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:2.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):130 mOhms at 4.5 V
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-236-3
  • 封装:Reel
  • 下降时间:36 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:1250 mW
  • 上升时间:36 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 典型关闭延迟时间:42 ns
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