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              DMN26D0UDJ-7
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DMN26D0UDJ-7

更新时间:2025-02-04 14:34:15
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DMN26D0UDJ-7的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DMN26D0UDJ-7外观图

  • 标准包装：10,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：230mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 100mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：14.1pF @ 15V
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-963
  • 供应商设备封装：SOT-963
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DMN26D0UDJ-7DITR
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