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DMN65D8LDW-7

更新时间:2025-04-26 05:24:00
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  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：180mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 欧姆 @ 115mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.87nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：22pF @ 25V
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SOT-363
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DMN65D8LDW-7DITR
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